| 型号： | FDS6162N7 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| FDS6162N7 PDF |  |
| 产品变化通告 | Mold Compound Change 27/March/2008 Product Discontinuation 03/Dec/2009 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | PowerTrench® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.5 毫欧 @ 23A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 73nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5521pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | FDS6162N7DKR |